一种磁性荧光双功能量子点及其制备方法和应用_4

文档序号:9904242阅读:来源:国知局
Schlenk技术抽气充气(高纯Ar)反复六次,除尽溶液中的氧气。
[0125] Te前体的制备:称取0.2mmol Te粉和0.5mmol NaB也,置于lOmL的离屯、管中,加入 2mL超纯水,冰水浴下揽拌反应直至成无色透明溶液。
[01%] 在室溫下,强力揽拌下用注射器向Cd前体中加入0.4mL新制备的NaHTe溶液 (0.04mmol),[Cd]: [MPA]: [Te] = 1:1.7:0.2。将;口烧瓶置于油浴中,冷凝回流2小时得到 MPA修饰的CdTe量子点。
[0127]通过红外光谱和巧光光谱的分析可知,得到MPA修饰CdTe量子点(也即MPA分子通 过其自身的琉基与金属CdTe量子点表面结合)。通过电感禪合等离子体质谱仪和元素分析 检测可知,相对于一个所述水溶性量子点,表面修饰的琉基丙酸的个数平均约为52个。另 夕h经马尔文Ze化sizer Nano纳米粒度仪检测,所制得的MPA修饰的CdTe量子点的粒径约为 5nm。
[012引制备例5
[0129] 该制备例用于制备MPA修饰CcTTe/ZnS量子点。
[0130] 将Immol ZnCl2、0.2mmol化2S和5mmol MPA溶液及前一步所得CdTe量子点混合成 40mL前体溶液,在揽拌时逐滴加入Imol L-iNaO田容液,调节抑11.0,控制[Zn]: [MPA]: [S] = 1:5:0.2,通氮气30分钟W尽可能除尽溶液中的氧气。将反应混合物加热到65°C反应3小时 得到MPA修饰的CdTe/ZnS核/壳结构量子点。
[0131] 通过红外光谱和巧光光谱的分析可知,得到MPA修饰CdTe/ZnS量子点(也即MPA分 子通过其自身的琉基与金属CdTe/ZnS量子点表面结合)。通过电感禪合等离子体质谱仪和 元素分析检测可知,相对于一个所述水溶性量子点,表面修饰的琉基丙酸的个数平均约为 54个。另外,经马尔文Zetasizer化no纳米粒度仪检测,所制得的MPA修饰的CdTe/ZnS量子 点的粒径约为8nm。
[0132] 制备例6
[0133] 该制备例用于制备MPA修饰Ag2S量子点。
[0134] 将lOmL乙二醇置于Ξ口烧瓶中,通入Ar气流排气30min后,升溫至11(TC,边揽拌边 加入10化L MPA,然后将0.05mmol AgM)3加入到反应溶液中。升溫至150°C。当反应15分钟 后,停止揽拌和加热,将反应溶液冷却至室溫,加入超纯水,待溶液浑浊后离屯、,所得沉淀即 为MPA修饰的Ag2S量子点。
[0135] 通过红外光谱和巧光光谱的分析可知,得到MPA修饰Ag2S量子点(也即MPA分子通 过其自身的琉基与金属Ag2S量子点表面结合)。通过电感禪合等离子体质谱仪和元素分析 检测可知,相对于一个所述水溶性量子点,表面修饰的琉基丙酸的个数平均约为24个。另 夕h经马尔文Zetasizer化no纳米粒度仪检测,所制得的MPA修饰的Ag2S量子点的粒径约 为化m。
[0136] W下实施例用于说明本发明将具有磁响应功能的Gemini表面活性剂修饰在水溶 性量子点表面的方法,W及制备得到的磁性巧光双功能量子点。
[0137] 实施例1
[013引1)取制备例3制备的MPA修饰的化Se量子点溶于超纯水中,量子点水溶液的浓度为 100μL?οΙ · [1。另外取化L十二硫醇溶于5mL丙酬中制得十二硫醇溶液。向所得十二硫醇溶液 中快速滴加上述量子点水溶液5mL(lmin滴加完毕),然后在25°C下强力揽拌2地(揽拌速度 约为250;r/min)。
[0139] 2)将步骤1)所得混合物减压蒸除溶剂至化L,然后加入5mL甲苯并超声分散。
[0140] 3)将步骤2)分散后的混合物与5mL制备例1所制得的MGS的水溶液(浓度为30化 mol · L-1)混合并在25°C下强力揽拌2地(揽拌速度约为250r/min)。
[0141] 4)将步骤3)所得混合物用0.22皿过滤头过滤后,然后用ΙΧΙοΛιοΙ · L-ipBS缓冲 液(pH=7.4)透析得到磁性巧光双功能量子点,记为11。
[0142] 通过红外光谱的分析可知,十二硫醇通过其自身的琉基连接在金属化Se量子点的 表面,且十二硫醇的长链烷基与具有磁性的MGS的长链烷基通过疏水相互作用而结合。
[0143] 实施例2
[0144] 1)取制备例4制备的MPA修饰的CdTe量子点溶于超纯水中,量子点水溶液的浓度为 80μπιο1 · 1/1。另外取8yL十二硫醇溶于7mL丙酬中制得十二硫醇溶液。向所得十二硫醇溶液 中快速滴加上述量子点水溶液7mL(2min滴加完毕),然后在25°C下强力揽拌2地(揽拌速度 约为250;r/min)。
[0145] 2)将步骤1)所得混合物减压蒸除溶剂至化L,然后加入7mL甲苯并超声分散。
[0146] 3)将步骤2)分散后的混合物与7mL制备例1所制得的MGS的水溶液(浓度为32化 mol · L-1)混合并在25°C下强力揽拌2地(揽拌速度约为250r/min)。
[0147] 4)将步骤3)所得混合物用0.22皿过滤头过滤后,然后用ΙΧΙΟΛιοΙ · L-IPBS缓冲 液(pH=7.4)透析得到磁性巧光双功能量子点,记为12。
[0148] 通过红外光谱的分析可知,十二硫醇通过其自身的琉基连接在金属CdTe量子点的 表面,且十二硫醇的长链烷基与具有磁性的MGS的长链烷基通过疏水相互作用而结合。
[0149] 实施例3
[0150] 1)取制备例5制备的MPA修饰的CdTe/ZnS量子点溶于超纯水中,量子点水溶液的浓 度为120μπιο1 · [1。另外取10化十二硫醇溶于8mL丙酬中制得十二硫醇溶液。向所得十二硫 醇溶液中快速滴加上述量子点水溶液6mL(1.5min滴加完毕),然后在25°C下强力揽拌24h (揽拌速度约为25化/min)。
[0151] 2)将步骤1)所得混合物减压蒸除溶剂至化L,然后加入8mL苯并超声分散。
[0152] 3)将步骤2)分散后的混合物与8mL制备例1所制得的MGS的水溶液(浓度为48化 mol · L-1)混合并在25°C下强力揽拌2地(揽拌速度约为250r/min)。
[015;3] 4)将步骤3)所得混合物用0.22皿过滤头过滤后,然后用ΙΧΙοΛιοΙ · L-ipBS缓冲 液(pH=7.4)透析得到磁性巧光双功能量子点,记为13。
[0154] 通过红外光谱的分析可知,十二硫醇通过其自身的琉基连接在金属CdTe/ZnS量子 点的表面,且十二硫醇的长链烷基与具有磁性的MGS的长链烷基通过疏水相互作用而结 厶 1=1 〇
[0155] 实施例4
[0156] 1)取制备例6制备的MPA修饰的Ag2S量子点溶于超纯水中,量子点水溶液的浓度为 100μηιοΙ · [1。另外取化L正十六烷基硫醇溶于5mL丙酬中制得十二硫醇溶液。向所得十二硫 醇溶液中快速滴加上述量子点水溶液5mL(1.5min滴加完毕),然后在25°C下强力揽拌24h (揽拌速度约为25化/min)。
[0157] 2)将步骤1)所得混合物减压蒸除溶剂至化L,然后加入5mL氯仿并超声分散。
[015引3)将步骤2)分散后的混合物与5mL制备例1所制得的MGS的水溶液(浓度为40化 mol · L-1)混合并在25°C下强力揽拌2地(揽拌速度约为250r/min)。
[0159] 4)将步骤3)所得混合物用0.22皿过滤头过滤后,然后用ΙΧΙοΛιοΙ · L-ipBS缓冲 液(pH=7.4)透析得到磁性巧光双功能量子点,记为14。
[0160] 通过红外光谱的分析可知,正十六烷基硫醇通过其自身的琉基连接在金属Ag2S量 子点的表面,且正十六烷基硫醇的长链烷基与具有磁性的MGS的长链烷基通过疏水相互作 用而结合。
[0161] 实施例5
[0162] 按照实施例1的方法进行,所不同的是,将步骤3)中所用的"制备例1所制得的MGS 的水溶液"替换为"制备例2所制得的MMS的水溶液",得到磁性巧光双功能量子点,记为15。
[0163] 通过红外光谱的分析可知,十二硫醇通过其自身的琉基连接在金属化Se量子点的 表面,且十二硫醇的长链烷基与具有磁性的MGS的长链烷基通过疏水相互作用而结合。
[0164] 实施例6
[0165] 按照实施例2的方法进行,所不同的是,将步骤3)中所用的"制备例1所制得的MGS 的水溶液"替换为"制备例2所制得的MMS的水溶液",得到磁性巧光双功能量子点,记为16。
[0166] 通过红外光谱的分析可知,十二硫醇通过其自身的琉基连接在金属CdTe量子点的 表面,且十二硫醇的长链烷基与具有磁性的MGS的长链烷基通过疏水相互作用而结合。
[0167] 实施例7
[0168] 按照实施例3的方法进行,所不同的是,将步骤3)中所用的"制备例1所制得的MGS 的水溶液"替换为"制备例2所制得的MMS的水溶液",得到磁性巧光双功能量子点,记为口。
[0169] 通过红外光谱的分析可知,十二硫醇通过其自身的琉基连接在金属CdTe/ZnS量子 点的表面,且十二硫醇的长链烷基与具有磁性的MGS的长链烷基通过疏水相互作用而结合。
[0170] 实施例8
[0171] 按照实施例4的方法进行,所不同的是,将步骤3)中所用的"制备例1所制得的MGS 的水溶液"替换为"制备例2所制得的MMS的水溶液",得到磁性巧光双功能量子点,记为18。
[0172] 通过红外光谱的分析可知,正十六烷基硫醇通过其自身的琉基连接在金属Ag2S量 子点的表面,且正十六烷基硫醇的长链烷基与具有磁性的MGS的长链烷基通过疏水相互作 用而结合。
[0173] 对比例1
[0174] 按照实施例1的方法进行,所不同的是,直接将制备例3制备的MPA修饰的化
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