本发明涉及柔性应变器件，尤其是涉及一种应变响应柔性器件及其制备方法和应用。、柔性传感器的制备方法与传统的传感器制造技术在本质上并无显著差异。然而，随着检测需求的不断提高，传统材料已无法满足这些需求。因此，纳米材料逐渐成为构成传感器结构的关键组分。在众多制备纳米材料的方法中，脱合金、等离子体...

本发明涉及一种基于sic膜片的耐高温mems器件及其制备方法，属于先进制造。、传感器作为采集信息的一种有效手段发挥着重要作用。mems压力传感器作为探测的成熟手段，在汽车工业、航空航天、石油探测、生物医疗、消费电子等领域应用非常广泛。按照压力测量原理的不同，mems压力传感器包括电容式、光...

本发明属于硅片键合，尤其涉及一种硅片的阳极键合装置及其键合方法。、目前玻璃-硅片-玻璃三层阳极键合在微流控芯片、mems、惯性传感器和压力器件中有所应用。玻璃-硅片-玻璃三层结构要经历两次阳极键合，第一次键合将一片玻璃与硅片的一面键合，第二次键合将另一片玻璃与硅片的另一面进行键合，此时就完...

本发明属于微电极阵列，尤其涉及一种三维纳米多孔微电极阵列及其制备方法。、微电极是指至少在一个维度上的尺度为微米级的一类电极，例如微盘电极和微带电极等。与常规电极相比，微电极具有诸多优良的电化学特性，如充电电流小、信噪比高、ir降小、传质速度高、响应时间短和灵敏度高等。而微电极阵列是由多个微...

本申请涉及封装，特别是涉及一种压力传感器。、压力传感器(pressure transducer)是能感受压力信号，并能按照一定的规律将压力信号转换成可用的输出的电信号的器件或装置。压力传感器通常由压力敏感元件和信号处理单元组成。按不同的测试压力类型，压力传感器可分为表压传感器、差压传感器和...

本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。、在制备诸如mems麦克风或滤波器等半导体器件时，某些膜层需要进行横向钻刻（undercut），刻蚀完成后，需要利用光学测量方法精确测量undercut的尺寸（被undercut的膜层的边缘与其上层膜的相应边缘之间的距离），从而监控...

本发明从一种微机械传感器出发，所述微机械传感器具有mems衬底并且具有罩衬底(kappensubstrat)，在所述mems衬底上在空腔中布置有具有至少一个传感器电极的微机械结构，所述罩衬底布置在所述微机械结构上方并且封闭所述空腔。、用于测量加速度和转速的微机械惯性传感器针对汽车领域和消费...

本发明涉及微机电系统封装及其制造方法。、微机电系统(micro-electro-mechanical system，mems)元件，例如加速度计、陀螺仪、压力传感器和麦克风，已广泛用于许多现代电子元件中。例如，由加速度计和/或mems陀螺仪组成的惯性测量单元(inertial measur...

本发明涉及原子器件的，特别涉及一种多腔式微型原子气室及其制备方法。、原子气室是众多量子传感应用如cpt原子钟、原子磁力计、原子陀螺仪、里德堡原子电场计、多普勒展宽测温等的核心器件，其参数一致性和长期密封性，稳定性直接决定了诸多量子传感应用系统的一致性、稳定性和开发难度；其量产规模速度直接影...

本公开的实施例涉及一种用于制造包括两个半导体管芯的器件的方法以及由此获得的器件。此外，本公开的实施例涉及芯片级封装(csp)器件，其包括微机电系统(mems)管芯(例如mems传感器)和集成电子组件的半导体管芯(例如专用集成电路(asic))。、众所周知，集成mems器件的管芯在一侧(通常...

本申请涉及mems安装，尤其涉及mems器件固定结构和电子设备。、现有技术中mems器件往往直接焊接在硬质pcb上(例如公开号为cnb的专利文件中描述的方案)，当mems器件的底部(焊接面)受到力学影响时，mems器件的输出会出现偏移。、如何抑制mems器件输出出现的偏移，是本申请要解决的...

本公开属于微机电系统，具体涉及一种mems器件和电子设备。、本部分旨在为权利要求书中陈述的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。、mems(micro-electro-mechanical system，微机电系统)器件中包含可以运动的机械部件(下文中称...

本公开的各个方面涉及先进处理系统和用于操作其的方法，更特别地涉及可控制以使用量子逻辑门来执行量子逻辑操作的量子处理系统。、本节所描述的开发成果为发明人所知。然而，除非另有说明，否则不应认为本节所述的任何开发成果仅仅因为被列入本节而被视为现有技术，也不应认为这些开发成果为本领域普通技术人员所...

本公开属于mems器件，具体涉及一种mems元件及其制作方法。、基于mems技术形成的d微型器件具有体积小、重量轻、可靠性高、集成度高等特点，以使mems元件广泛应用于各电子器件中，例如，mems开关可用于电路中要求高速、电性地低电流开关的多种应用；mems电容器可用于多种电路中，例如，可...

本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种mems器件的制造方法。、在mems(micro-electro-mechanical syste，微机电系统)硅基器件中，尤其是在晶圆正面要做湿法释放结构，背面要做开背腔的结构，最后形成通孔的结构器件的工艺过程中，通常是先在背面利用掩模版通过光刻工艺...

本申请涉及芯片，尤其涉及一种晶圆键合方法、芯片及电子设备。、目前，mems(微机械系统)、微电子以及光电子等研究方向中，晶圆键合技术正在被广泛应用。在键合技术中，通常将焊球附着在芯片焊盘上，再将芯片顶面朝下放置在基板上，组装好的单元将经过温度回流的通道，该通道可随着时间的推移调节温度，以熔...

本发明涉及水伏器件，具体涉及一种柔性硅微纳结构水伏器件及其制备方法。、发展高效清洁的可再生能源是解决我国能源问题的重要途径，也是实现双碳战略目标的关键。水是地球上最大的能量载体，在水中获得可再生能源是一种切实可行的方法。传统的水能利用通常需要借助堤坝和发电机组等设施，上述措施均具有建设成本...

本发明属于光刻，具体涉及一种基于无掩膜光刻的二维微流控芯片制备方法。、微流控芯片指流道尺寸为几到几百微米且可人为干预流体物理或化学行为的多流道功能器件。微流控芯片仅要求对毫升甚至是微升级别的反应流体在微流道进行流动或反应，该器件在极度减少反应液用量的同时提高了微流体在芯片内的传热和传质效果...

本发明涉及半导体制造，具体涉及一种mems传感器及其制备方法。、mems传感器已经被应用于各个领域当中，由于工作环境的需要，mems传感器必须采用一种有效的封装结构和封装方法，目前mems传感器的封装，通常是由mems芯片、asic芯片构成，具体是将mems芯片和asic芯片分别设置在两个...

本发明属于微流控芯片的加工制造，具体涉及一种无掩膜快速加工硅微结构的方法。、微流控芯片在化工，医药，化学检测等行业有丰富的应用。常见的制造微流控芯片的材料有单晶硅，玻璃，工程塑料等，其中硅材料具有强度高，表面惰性，传热能力强等优点，较早被用于微流控芯片的制作。制造硅基微流控芯片涉及在单晶硅...